 |
 |
Модуляция добротности производится с использованием насыщенного поглощения в кристалле Cr4+:YAG.
Выходные характеристики лазеров
ILP 1064Q – 500 – 4A ( S, C )
| Средняя мощность на 1064 нм | > 500 мВт |
| Длительность импульса | ~ 20 нс |
| Частота следования импульсов | > 10 кГц |
| Пиковая мощность импульса | > 5 кВт |
| Средняя мощность импульса | > 2.5 кВт |
| Энергия импульса | > 50 мкДж |
| Пульсация амплитуды импульса | ~ 0.5 % |
| Свойства выходного излучения | |
| Режим | TEM00q |
| Поляризация на 1064 нм | Линейная |
| Ширина линии | Фурье огранич. |
| Область свободной дисперсии лазера | ~ 2.4 ГГц |
| Управление частотой излучения с помощью пьезокерамических элементов | |
| Чувствительность ПЭ-1 | ~ 1 МГц/В |
| Полоса частот ПЭ-1 | 0…30 кГц |
| Чувствительность ПЭ-2 | ~ 10 МГц/В |
| Полоса частот ПЭ-2 | 0…1 кГц |
| Рабочее напряжение | — 100…+250 В |
Контактная информация
| Россия, 630090, Новосибирск,просп. акад. Лаврентьева 13/3, Институт лазерной физики СО РАН, академик РАН Багаев Сергей Николаевич |
Тел.: (383) 333-24-89 Факс: (383) 333-20-67 E-mail: bagayev@laser.nsc.ru |